Contribution of local atomic arrangements and electronic structure to high electrical resistivity in Al82.6-xRe17.4Six (7 ÅOxÅO12) 1/1-1/1-1/1 approximant
Contribution of local atomic arrangements and electronic structure to high electrical resistivity in Al82.6-xRe17.4Six (7 ÅOxÅO12) 1/1-1/1-1/1 approximant
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Al82.6-xRe17.4Six (7 ÅOxÅO12) 1/1-1/1-1/1 近似值中局部原子排列和电子结构对高电阻率的贡献
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.Kamiyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Takeuchi;T.Onogi;H.Sato;T.Otagiri;U.Mizutani;K.Kato;T.Kamiyama
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10.1016/s0921-5093(00)01198-9
发表时间：
2000
影响因子：
6.4
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T. Takeuchi;H. Yamada;M. Takata;Tamotsu Nakata;N. Tanaka;U. Mizutani
通讯作者：
U. Mizutani