Electroless Deposition of Barrier and Seed Layers for Via Last Cu-TSV Metallization
Electroless Deposition of Barrier and Seed Layers for Via Last Cu-TSV Metallization
复制标题
通过最后的 Cu-TSV 金属化进行阻挡层和种子层的无电镀沉积
DOI:
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发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
井上史大
中科院分区:
文献类型:
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作者:
F.Inoue;T.Yokoyama;S.Tanaka;K.Yamamoto;S.Shingubara;井上史大;井上史大;井上史大;井上史大;井上史大;井上史大;井上史大;井上史大
影响因子:
6.6
作者:
F. Inoue;Tomohiro Shimizu;T. Yokoyama;H. Miyake;K. Kondo;Takeyasu Saito;Taro Hayashi;Shukichi Tanaka;T. Terui;S. Shingubara
通讯作者:
F. Inoue;Tomohiro Shimizu;T. Yokoyama;H. Miyake;K. Kondo;Takeyasu Saito;Taro Hayashi;Shukichi Tanaka;T. Terui;S. Shingubara