The enhancement of anomalous Hall effect by inserting MgO layer in perpendicular anisotropic Pd/Co2MnSi/MgO/Pd films
The enhancement of anomalous Hall effect by inserting MgO layer in perpendicular anisotropic Pd/Co2MnSi/MgO/Pd films
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在垂直各向异性Pd/Co2MnSi/MgO/Pd薄膜中插入MgO层增强反常霍尔效应
DOI：
10.1063/1.5006335
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发表时间：
2018-05
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
You CY
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Fu H. R.;Ma L.;Tian N.;You C. Y.;Wang K.;You CY
对垂直磁各向异性Pd/Co2 MnSi（tCMS）/MgO/Pd薄膜的反常霍尔效应（AHE）进行了系统的研究。引入MgO层后，AHE显著增强，这是由于自旋-轨道耦合和界面散射贡献的增强。此外，研究发现，在退火过程中，Co和Mn离子在Co2 MnSi/MgO界面处被还原。退火后，在Co2 MnSi/MgO界面处观察到稳定量的Mn-O键合，这意味着适当的Mn-O键合有利于获得大的AHE。
A systematic study of anomalous Hall effect (AHE) was performed in perpendicular magnetic anisotropic Pd/Co2MnSi(tCMS)/MgO/Pd films. The AHE was significantly intensified by inserting MgO layer, which can be ascribed to the enhancement of spin-orbit coupling and interfacial scattering contribution. Moreover, it was found that the Co and Mn ions were reduced at the interface of Co2MnSi/MgO with annealing process. The stable amount of Mn-O bonding was observed at the Co2MnSi/MgO interface after annealing, implying that the proper Mn-O bonding could be favorable for achieving large AHE.
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