Fullband Particle-Based Simulation of High-Field Transient Transport in III–V Semiconductors
Fullband Particle-Based Simulation of High-Field Transient Transport in III–V Semiconductors
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III-V 族半导体中高场瞬态输运的全带粒子模拟
DOI：
10.1023/a:1022945122145
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发表时间：
2002
影响因子：
2.1
通讯作者：
Alfred Leitenstorfer
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Wigger;M. Saraniti;S. Goodnick;Alfred Leitenstorfer
宽带隙半导体器件二维载流子迁移率的蒙特卡罗模拟
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
N. Mori;H. Tanaka;T. Hoshino;G. Mil'nikov
通讯作者：
G. Mil'nikov