Monte Carlo simulation of two-dimensional carrier mobility in wide-gap semiconductor devices
Monte Carlo simulation of two-dimensional carrier mobility in wide-gap semiconductor devices
复制标题
宽带隙半导体器件二维载流子迁移率的蒙特卡罗模拟
DOI：
--
复制
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
G. Mil'nikov
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N. Mori;H. Tanaka;T. Hoshino;G. Mil'nikov
登录
查看更多内容
0.1-的设计与实验技术
影响因子：
4.9
作者：
G. Sai;M. Wordeman;D. Kern;É. Ganin;S. Rishton;D. Zicherman;H. Schmid;M. Polcari;H. Ng;P. Restle;T. Chang;R. Dennard
通讯作者：
R. Dennard
具有深亚微米沟道的低温工作 MOSFET 的温度调节理论
影响因子：
1.5
作者：
You;K. Masu;K. Tsubouchi;N. Mikoshiba
通讯作者：
N. Mikoshiba
超高速赝晶 AlGaAs/InGaAs（GaAs 上）MODFET 的表征
影响因子：
3.1
作者：
L. Nguyen;P. Tasker;D. Radulescu;L. Eastman
通讯作者：
L. Eastman
n 沟道反转模式 GaAs MISFET 演示
DOI：
10.1109/iedm.1989.74196
发表时间：
1989
期刊：
International Technical Digest on Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
G. Fountain;R. Rudder;S. Hattangady;R. Markunas;J. Hutchby
通讯作者：
J. Hutchby
0.1μm 栅极长度级别的 NMOS 器件中的高跨导和速度过冲
影响因子：
4.9
作者：
G. Sai;M. Wordeman;D. Kern;S. Rishton;É. Ganin
通讯作者：
É. Ganin