Iterative correction of the thickness for transmission-mode GaAs photocathode optical performance
Iterative correction of the thickness for transmission-mode GaAs photocathode optical performance
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透射模式砷化镓光电阴极光学性能厚度的迭代校正
DOI：
10.1016/j.ijleo.2018.09.036
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发表时间：
2018-12
期刊：
影响因子：
3.1
通讯作者：
Huan Wei
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jing Zhao;Cui Qin;Jing Guo;Huan Wei
采用分子束外延技术生长了Glass/Si 3 N4/GaAlAs/GaAs结构的透射式GaAs光电阴极样品。用分光光度计测量了反射率和透射率的实验曲线。为了更好地拟合实际厚度，提出了多次迭代厚度的校正方法，以减小组成误差。结果表明，在600-1100 nm范围内，通过多次迭代校正，反射率和透射率曲线的合成误差由15.2%减小到4.9%。此外，通过对光学性能的拟合，可以得到与实际值接近的厚度结构。
Transmission-mode GaAs photocathode sample was grown by molecular beam epitaxy with the structure of Glass/Si3N4/GaAlAs/GaAs. The experimental reflectivity and transmittance curves were measured by the spectrophotometer. In order to fitting the actual thicknesses, the correction method is proposed which is multiple iterations of the thicknesses for reducing the composition error. The results show that the composition error of reflectivity and transmittance curves decreased from 15.2% to 4.9% in the range of 600–1100 nm by the correction of the multiple iterations. In addition, the thickness structure approximating to the actual value can be deduced by fitting the optical performance.
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