Single-electron transfer between two donors in nanoscale thin silicon-on-insulator field-effect transistors

Single-electron transfer between two donors in nanoscale thin silicon-on-insulator field-effect transistors
复制标题

纳米级薄绝缘体上硅场效应晶体管中两个施主之间的单电子转移

DOI:
--
复制
发表时间:
2010
期刊:
Appl. Phys. Lett.
影响因子:
--
通讯作者:
T. Mizuno and M. Tabe
T. Mizuno and M. Tabe
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
E. Hamid;D. Moraru;J. C. Tarido;S. Miki;T. Mizuno and M. Tabe

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

硅中施主的轨道斯塔克效应和量子限制跃迁
DOI: --
发表时间: 2009
期刊:
影响因子: --
作者:
R. Rahman;G. Lansbergen;Seung;J. Verduijn;Gerhard Klimeck;S. Rogge;L. Hollenberg
通讯作者: L. Hollenberg
硅中的 D 态
DOI: 10.1016/0038-1098(76)90469-5
发表时间: 1976
影响因子: 2.1
作者:
M. Taniguchi;S. Narita
通讯作者: S. Narita
DOI: --
发表时间: 2006
期刊:
影响因子: --
作者:
M. J. Calderón;B. Koiller;S. Sarma
通讯作者: S. Sarma
单电子转移的掺杂剂间耦合调谐
DOI: --
发表时间: 2009
期刊:
影响因子: --
作者:
山崎謙治;山口浩司;D.Moraru
通讯作者: D.Moraru
DOI: 10.1103/physrevb.76.075332
发表时间: 2007-08-01
期刊: PHYSICAL REVIEW B
影响因子: 3.7
作者:
Moraru, Daniel;Ono, Yukinori;Tabe, Michiharu
通讯作者: Tabe, Michiharu