Self-Catalyzed CdTe Wires.
Self-Catalyzed CdTe Wires.
复制标题
DOI：
10.3390/nano8050274
复制
发表时间：
2018-04-25
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Major JD
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Baines T;Papageorgiou G;Hutter OS;Bowen L;Durose K;Major JD
碲化镉线已制造通过无催化剂的方法，使用工业规模的物理气相沉积技术近空间升华。线的生长被证明是高度依赖于表面粗糙度和沉积压力，只有低粗糙度的表面能够生产线。线的生长是高度（111）取向的，并且被推断为经由气-固-固生长机制发生，其中CdTe种子颗粒用于模板化生长。此类种子颗粒可见为线帽，并已通过能量分散X射线分析进行表征，以确定它们是单相CdTe，从而验证了自催化途径。阴极发光分析表明，碲化镉线表现出低得多的复合水平相比，平面碲化镉膜，这是非常有益的半导体应用。
CdTe wires have been fabricated via a catalyst free method using the industrially scalable physical vapor deposition technique close space sublimation. Wire growth was shown to be highly dependent on surface roughness and deposition pressure, with only low roughness surfaces being capable of producing wires. Growth of wires is highly (111) oriented and is inferred to occur via a vapor-solid-solid growth mechanism, wherein a CdTe seed particle acts to template the growth. Such seed particles are visible as wire caps and have been characterized via energy dispersive X-ray analysis to establish they are single phase CdTe, hence validating the self-catalysation route. Cathodoluminescence analysis demonstrates that CdTe wires exhibited a much lower level of recombination when compared to a planar CdTe film, which is highly beneficial for semiconductor applications.
登录
查看更多内容
影响因子：
3.7
作者：
Ruiz, C. M.;Saucedo, E.;Bermudez, V.
通讯作者：
Bermudez, V.
影响因子：
6.9
作者：
Williams, B. L.;Major, J. D.;Durose, K.
通讯作者：
Durose, K.
影响因子：
16.6
作者：
Kranz, Lukas;Gretener, Christina;Tiwari, Ayodhya N.
通讯作者：
Tiwari, Ayodhya N.
影响因子：
64.8
作者：
Major, J. D.;Treharne, R. E.;Durose, K.
通讯作者：
Durose, K.
影响因子：
10.8
作者：
Di Carlo, Virginia;Prete, Paola;Lovergine, Nico
通讯作者：
Lovergine, Nico