The Over-Reset Phenomenon in Ta2O5 RRAM Device Investigated by the RTN-Based Defect Probing Technique
The Over-Reset Phenomenon in Ta2O5 RRAM Device Investigated by the RTN-Based Defect Probing Technique
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基于RTN的缺陷探测技术研究Ta2O5 RRAM器件中的过复位现象
DOI：
10.17863/cam.34421
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Chai Z
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chai Z
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DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
Microelectronics and reliability
影响因子：
--
作者：
J. Stathis;S. Mahapatra;T. Grasser
通讯作者：
T. Grasser
非丝状 a-Si/TiO2 RRAM 中预先存在和产生的缺陷及其对 RTN 幅度分布的影响的研究
影响因子：
3.1
作者：
Jigang Ma;Z. Chai;W. Zhang;J. Zhang;Z. Ji;B. Benbakhti;B. Govoreanu;E. Simoen;L. Goux;A. Belmonte;R. Degraeve;G. Kar;M. Jurczak
通讯作者：
M. Jurczak
NBTI 的成长代 (AG) 模型：从拟合测试数据到预测的转变
DOI：
10.1016/j.microrel.2017.11.026
发表时间：
2018
期刊：
Microelectron. Reliab.
影响因子：
--
作者：
Jianfu Zhang;Z. Ji;W. Zhang
通讯作者：
W. Zhang
影响因子：
4
作者：
Sedghi, N.;Li, H.;Chalker, P. R.
通讯作者：
Chalker, P. R.