Paramagnetic Cu-doped Bi2Te3 nanoplates
Paramagnetic Cu-doped Bi2Te3 nanoplates
复制标题
顺磁性 Cu 掺杂 Bi2Te3 纳米片
DOI：
10.1063/1.4863966
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发表时间：
2014-02
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Z. G. Chen L. Yang S. Ma L. N. Cheng G. Han
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Z. G. Chen L. Yang S. Ma L. N. Cheng G. Han
采用溶剂热法合成了宽度接近200 nm、厚度接近20 nm的均匀掺铜Bi2Te3六方纳米板材。根据结构表征和成分分析，发现Cu2+取代了晶格中的Bi3+。高铜掺杂引起晶格畸变，晶格在a轴和c轴分别减少了1.17%和2.38%。在2-295K温度范围内观察到了顺磁状态，这与未掺杂的抗磁性Bi2Te3有很大的不同。(C)2014 AIP出版有限责任公司。
Uniform Cu-doped Bi2Te3 hexagonal nanoplates with widths of similar to 200 nm and thicknesses of similar to 20 nm were synthesized using a solvothermal method. According to the structural characterization and compositional analysis, the Cu2+ ions were found to substitute Bi3+ ions in the lattice. High-level Cu doping induces a lattice distortion and decreases the crystal lattice by 1.17% in the a axis and 2.38% in the c axis. A paramagnetic state is observed in these nanoplates from 2 to 295 K, which is a significant difference from their diamagnetic un-doped Bi2Te3. (C) 2014 AIP Publishing LLC.
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