Imaging of c(8×2)/(4×6) GaAs ( 001 ) surface with noncontact atomic force microscopy
Imaging of c(8×2)/(4×6) GaAs ( 001 ) surface with noncontact atomic force microscopy
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使用非接触原子力显微镜对 c(8×2)/(4×6) GaAs ( 001 ) 表面进行成像
DOI：
10.1103/physrevb.71.165419
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发表时间：
2005
影响因子：
3.7
通讯作者：
M. Szymoński
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Kolodziej;B. Such;M. Szymoński
非接触原子力显微镜用于研究具有这种结构的表面，这种结构通常用于在接近的温度下制备的表面。用大的尖端表面分离拍摄的图像显示出模糊的特征，即所谓的幽灵X，排列成与方向平行的链，部分无序，但趋向于周期。然而，在较低的尖端表面分离时，由于表面原子结构的分解，只有图案清晰可见。原子尺度的图像与最近提出的重建表面模型一致。这些发现表明，幽灵仅通过电场的调制被可视化，因此它们是电子而不是结构起源。
Noncontact atomic force microscopy is used to studysurface having thereconstruction, which is often found for surfaces prepared at temperatures close to. Images taken with large tip-surface separations show hazy features, so-called ghosts X, aligned in chains parallel to thedirection and partially disordered but tending towardsperiod along. However, at lower tip-surface separation only apattern is clearly visible due to resolved surface atomic structure. The atomic-scale images are consistent with the recently proposedmodel ofreconstructedsurfaces. Those findings indicate that the ghosts are visualized through modulation of the electric field only, and consequently they are of electronic but not structural origin.
富镓 GaAs(001) 表面的结构特征：扫描隧道显微镜研究
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
Physical Review B (Rapid Communications) 70(15)
影响因子：
--
作者：
P.Kocan;A.Ohtake;N.Koguchi
通讯作者：
N.Koguchi