Structural features of Ga-rich GaAs(001) surfaces : scanning tunneling microscopy study
Structural features of Ga-rich GaAs(001) surfaces : scanning tunneling microscopy study
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富镓 GaAs(001) 表面的结构特征：扫描隧道显微镜研究
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N.Koguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P.Kocan;A.Ohtake;N.Koguchi
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GaAs(001) 上的富镓重建
DOI：
10.1002/pssb.200301885
发表时间：
2003
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
--
作者：
M. Pristovsek;S. Tsukamoto;A. Ohtake;N. Koguchi;B. Orr;W. Schmidt;J. Bernholc
通讯作者：
J. Bernholc
GaAs(001)-c(4×4)表面的两种结构
影响因子：
4
作者：
A. Ohtake;N. Koguchi
通讯作者：
N. Koguchi
采用 LEED IV 技术对 GaAs(001)-c(4×4) 进行结构分析
影响因子：
1.9
作者：
A. Nagashima;M. Tazima;A. Nishimura;Y. Takagi;J. Yoshino
通讯作者：
J. Yoshino
STM 测定 GaAs(001)-(6×6) 原子结构
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
James G. McLean;P. Kruse;A. Kummel
通讯作者：
A. Kummel
Ga稳定GaAs(001)-c(8×2)表面高温结构分析
影响因子：
3.7
作者：
A. Ohtake;S. Tsukamoto;M. Pristovsek;N. Koguchi;M. Ozeki
通讯作者：
M. Ozeki