Damage-free surface treatment of carbon nanotubes and self-assembled monolayer devices using a neutral beam process for fusing top–down and bottom–up processes
Damage-free surface treatment of carbon nanotubes and self-assembled monolayer devices using a neutral beam process for fusing top–down and bottom–up processes
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使用中性束工艺融合自上而下和自下而上工艺对碳纳米管和自组装单层器件进行无损伤表面处理
DOI：
10.1088/0022-3727/41/2/024006
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Ishida
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Samukawa;Y. Ishikawa;Keiji Okumura;Y. Sato;K. Tohji;T. Ishida
在过去的30年中，等离子体蚀刻工艺已经用于缩小集成器件的图案尺寸。然而，等离子体工艺的固有问题，例如紫外光子辐射损伤，限制了纳米器件的蚀刻和表面处理的有效性。为了克服这些问题，我们开发了一种中性束表面处理工艺。该工艺使用中性束和无缺陷表面工艺来制造碳纳米管和自组装单层器件。我们发现中性束可以用来在碳纳米管和有机分子中产生无原子缺陷的表面。该技术具有制造纳米器件的潜力。
Plasma etching processes have been used for the past 30 years to shrink the pattern size of integrated devices. However, the inherent problems of plasma processes, such as ultraviolet photon radiation damage, limit the effectiveness of etching and surface treatments of nanoscale devices. To overcome these problems, we developed a neutral beam surface treatment process. The process uses neutral beams and a defect-free surface process to fabricate carbon nanotubes and self-assemble mono-layer devices. We found that neutral beams can be used to produce atomically defect-free surfaces in carbon nanotubes and organic molecules. This technique has potential for fabricating nanodevices.
脉冲时间调制氮束形成的超薄氮氧化物薄膜中氮深度分布的控制
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology A22・2
影响因子：
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作者：
遠藤和彦;寒川誠二;Kazuhiko Endo;Seiji Samukawa;寒川 誠二;寒川 誠二;大竹浩人;久保田智広;石川健治;野田周一;Hiroto Ohtake;Tomohiro Kubota;Kenji Ishikawa;Shuichi Noda;寒川 誠二;寒川 誠二;寒川誠二;寒川誠二;寒川誠二
通讯作者：
寒川誠二