Computer Simulation of Current Transport in GaN and AlGaN Schottky Diodes Based on Thin Surface Barrier Model
Computer Simulation of Current Transport in GaN and AlGaN Schottky Diodes Based on Thin Surface Barrier Model
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基于薄表面势垒模型的 GaN 和 AlGaN 肖特基二极管中电流传输的计算机仿真
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Hashizume
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.Kotani;H.Hasegawa;T.Hashizume
影响因子：
6.7
作者：
Susumu Oyama;T. Hashizume;H. Hasegawa
通讯作者：
Susumu Oyama;T. Hashizume;H. Hasegawa
影响因子：
1.4
作者：
Hasegawa, H;Inagaki, T;Hashizume, T
通讯作者：
Hashizume, T