Properties of Thermally Etched 4H-SiC by Chlorine-Oxygen System
Properties of Thermally Etched 4H-SiC by Chlorine-Oxygen System
复制标题
氯氧体系热刻蚀4H-SiC的性能
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et. al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Hatayama;et. al.
SiC 中少数载流子扩散长度分析以实现高质量外延生长
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Journal of Microelectronic Engineering 83
影响因子：
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作者：
T. Hatayama;et. al.
通讯作者：
et. al.