Analysis of Minority Carrier Diffusion Length in SiC toward High Quality Epitaxial Growth
Analysis of Minority Carrier Diffusion Length in SiC toward High Quality Epitaxial Growth
复制标题
SiC 中少数载流子扩散长度分析以实现高质量外延生长
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et. al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Hatayama;et. al.
采用低压热壁化学气相沉积法外延生长高质量 4H-SiC 碳面
影响因子：
1.5
作者：
K. Kojima;Takaya Suzuki;S. Kuroda;J. Nishio;K. Arai
通讯作者：
K. Arai
化学气相沉积法高生长 4H-SiC 中的低浓度深陷阱
影响因子：
1.5
作者：
K. Danno;K. Hashimoto;H. Saitoh;T. Kimoto;H. Matsunami
通讯作者：
H. Matsunami
使用 HCl 作为生长添加剂提高 SiC CVD 反应器中的生长速率
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.73
发表时间：
2005
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
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作者：
R. Myers;O. Kordina;Z. Shishkin;S. Rao;Richard Everly;S. Saddow
通讯作者：
S. Saddow