ARM SVEからベクトル拡張付きRISC-Vへのアセンブリコードトランスレータの検討
ARM SVEからベクトル拡張付きRISC-Vへのアセンブリコードトランスレータの検討
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考虑使用向量扩展从 ARM SVE 到 RISC-V 的汇编代码转换器
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
横田 隆史
中科院分区：
文献类型：
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作者：
土屋 達哉，木村 嘉毅，大津 金光;横田 隆史
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ARM弱一致内存模型的推理
影响因子：
3.6
作者：
Nathan Chong;Samin S. Ishtiaq
通讯作者：
Samin S. Ishtiaq
DOI：
10.1145/2837614.2837615
发表时间：
2016-01
期刊：
Proceedings of the 43rd Annual ACM SIGPLAN-SIGACT Symposium on Principles of Programming Languages
影响因子：
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作者：
Shaked Flur;Kathryn E. Gray;Christopher Pulte;Susmit Sarkar;A. Sezgin;Luc Maranget;Will Deacon;Peter Sewell
通讯作者：
Shaked Flur;Kathryn E. Gray;Christopher Pulte;Susmit Sarkar;A. Sezgin;Luc Maranget;Will Deacon;Peter Sewell
同步 C/C 和 POWER
DOI：
10.1145/2254064.2254102
发表时间：
2012
期刊：
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影响因子：
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作者：
Sarkar S
通讯作者：
Sarkar S
弱内存模型中的栅栏（扩展版）
影响因子：
0.8
作者：
Alglave J
通讯作者：
Alglave J
NVIDIA PTX 内存一致性模型的形式分析
DOI：
10.1145/3297858.3304043
发表时间：
2019
期刊：
Proceedings of the Twenty-Fourth International Conference on Architectural Support for Programming Languages and Operating Systems
影响因子：
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作者：
Daniel Lustig;Sameer D. Sahasrabuddhe;Olivier Giroux
通讯作者：
Olivier Giroux