High conductivity β-Ga2O3 formed by hot Si ion implantation
High conductivity β-Ga2O3 formed by hot Si ion implantation
复制标题
热硅离子注入形成高导电率β-Ga2O3
DOI：
10.1063/5.0127457
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发表时间：
2022
影响因子：
4
通讯作者：
Dhar, Sarit
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sardar, Arka;Isaacs-Smith, Tamara;Lawson, Jacob;Asel, Thaddeus;Comes, Ryan B.;Merrett, Joseph N.;Dhar, Sarit
Si 和 Sn 离子注入 β-Ga2O3 中的损伤恢复和掺杂扩散
影响因子：
2.2
作者：
M. Tadjer;Chaker Fares;N. Mahadik;J. Freitas;David J. Smith;Ribhu Sharma;M. Law;F. Ren;S. Pearton;A. Kuramata
通讯作者：
A. Kuramata
Si+ 离子辐照后 β-Ga2O3 的无序化：表面取向的影响
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
Materials letters (General ed.)
影响因子：
--
作者：
V. Trushin;A. Nikolskaya;D. Korolev;A. Mikhaylov;A. Belov;E. Pitirimova;D. Pavlov;D. Tetelbaum
通讯作者：
D. Tetelbaum