Structural and magnetic phenomena in ultrathin C/Co/C stacks prepared by DC magnetron sputtering
Structural and magnetic phenomena in ultrathin C/Co/C stacks prepared by DC magnetron sputtering
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直流磁控溅射制备超薄 C/Co/C 叠层的结构和磁现象
DOI：
10.1002/pssa.201026729
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Nielsch
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Zolotaryov;Y. Bugaev;V. Samofalov;O. Devizenko;E. Zubarev;S. Martens;O. Albrecht;D. Görlitz;K. Nielsch
我们研究了两种C(5 nm)/Co/C(5 nm)多层叠层，钴层厚度分别为4和13 nm。对所制备系统的结构分析表明，相应的钴层为非晶态(纳米晶)和[0001]织构的hcp相。两个系统的磁测量结果与结构数据符合得很好。对于非晶态钴层，磁性数据显示无碳化物存在，饱和磁场为1.6 × ~(10~4Oe)，平面内矫顽场为零。通过控制直流磁控溅射的工艺参数，可以在非晶态钴薄膜中引入较强的面内各向异性。对于织构Hcp-CoCo薄膜，我们推导出了随机紧密堆积(RCP)结构的存在。我们假设这个富缺陷的钴相负责于相应多层样品中平面外磁各向异性的检测消除。
We study two C(5 nm)/Co/C(5 nm) multilayer stacks with cobalt layer thicknesses of 4 and 13 nm. Structural analysis of fabricated systems reveals corresponding cobalt layers to be in amorphous (nanocrystalline) and [0001]‐texturedhcp‐phase. The magnetic measurements for both systems agree well with structural data. For the amorphous cobalt layer magnetic data reveal the absence of carbides, high saturation field of 1.6 × 104Oe and vanishing inplane coercive field. We also show that strong inplane anisotropy can be introduced into the amorphous cobalt film by controlling the process parameters of DC‐magnetron sputtering. For the texturedhcp‐cobalt film we have deduced the presence of randomly close‐packed (rcp) structure. We assume this defect‐rich cobalthcp‐phase to be responsible for the detected elimination of the out‐of‐plane magnetic anisotropy in the corresponding multilayer sample.
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影响因子：
3.2
作者：
Martens, Stephan;Albrecht, Ole;Goerlitz, Detlef
通讯作者：
Goerlitz, Detlef
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DOI：
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发表时间：
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Songqing Hu
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