Three dimensional characterization of dopant distribution in polycrystalline silicon by atom probe microscopy
Three dimensional characterization of dopant distribution in polycrystalline silicon by atom probe microscopy
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原子探针显微镜对多晶硅中掺杂剂分布的三维表征
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Hasegawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Inoue;F. Yano;A. Nishida;T. T sunomura;T. Toyama;Y. Nagai;M. Hasegawa
硅纳米结构中掺杂剂的三维原子图
影响因子：
4
作者：
K. Thompsona;J. Booske;D. Larson;T. Kelly
通讯作者：
T. Kelly
影响因子：
3.1
作者：
Asenov, A;Saini, S
通讯作者：
Saini, S