Anomalous radial and angular strain relaxation around dilute p-, isoelectronic-, and n-type dopants in Si crystal
Anomalous radial and angular strain relaxation around dilute p-, isoelectronic-, and n-type dopants in Si crystal
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Si 晶体中稀 p 型、等电子型和 n 型掺杂剂周围的异常径向和角应变弛豫
DOI：
10.1016/j.physb.2016.11.028
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发表时间：
2017-02
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Chen Dongliang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhao Mingshu;Dong Juncai;Chen Dongliang
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影响因子：
3.7
作者：
Kresse, G;Furthmuller, J
通讯作者：
Furthmuller, J
影响因子：
4
作者：
Ahn, Chihak;Dunham, Scott T.
通讯作者：
Dunham, Scott T.
影响因子：
3.3
作者：
J. V. Van Donkelaar;A. Greentree;A. Alves;L. M. Jong;L. Hollenberg;D. Jamieson
通讯作者：
J. V. Van Donkelaar;A. Greentree;A. Alves;L. M. Jong;L. Hollenberg;D. Jamieson
DOI：
10.1088/0953-8984/1/11/002
发表时间：
1989-03
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
Pascal Vinet;J. H. Rose;J. Ferrante;John R. Smith-
通讯作者：
Pascal Vinet;J. H. Rose;J. Ferrante;John R. Smith-
DOI：
10.1103/physrevb.47.1898
发表时间：
1993-01
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Krüger;Pollmann
通讯作者：
Krüger;Pollmann