Quasi-two-dimensional GeSbTe compounds as promising thermoelectric materials with anisotropic transport properties
Quasi-two-dimensional GeSbTe compounds as promising thermoelectric materials with anisotropic transport properties
复制标题
准二维GeSbTe化合物作为具有各向异性传输特性的有前途的热电材料
DOI：
10.1063/1.5083863
复制
发表时间：
2019-02
影响因子：
4
通讯作者：
Chen Lidong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wei Tian-Ran;Hu Ping;Chen Hongyi;Zhao Kunpeng;Qiu Pengfei;Shi Xun;Chen Lidong
GeSbTe伪二元合金是一类准二维半导体材料，具有高电导率和低热导率的稳定三角相结构，是一种非常有名的相变材料，但其热电性能尚未得到系统的研究。在本文中，我们制备了多晶Ge 2Sb 2 Te 5，GeSb 2 Te 4和GeSb 4 Te 7块体材料，并研究了热电输运性质。观察到Seebeck系数以及电导率的大的各向异性，这在多晶热电材料中不常见。结合实验研究和理论计算，可以发现这种现象归因于材料能带结构的不对称性。在750 K时，最大zT值为0.46-0.60，表明GeSbTe基化合物是有前途的中温热电材料。
Pseudo-binary GeSbTe alloys, best known as phase-change materials, are quasi-two-dimensional semiconductors in their stable trigonal phases with high electrical conductivity and low thermal conductivity, but their thermoelectric properties have not been systematically investigated. Here, in this letter, we prepared polycrystalline Ge2Sb2Te5, GeSb2Te4, and GeSb4Te7 bulk materials and studied the thermoelectric transport properties. Large anisotropy in Seebeck coefficient as well as in electrical conductivity is observed, which is not commonly reported in polycrystalline thermoelectric materials. Combining experimental study and theoretical calculations, one can find that this phenomenon is attributed to the asymmetry of a material's band structure. Maximal zT values of 0.46–0.60 are achieved at 750 K, indicating that GeSbTe-based compounds are promising thermoelectric materials for mid-temperature applications.
登录
查看更多内容
层状 nGeTe 中心点 mSb(2)Te(3) 硫族化物半导体中 p 型导电性的起源
DOI：
10.1103/physrevb.83.113201
发表时间：
2011-03
期刊：
Physical Review B (condensed Matter and Materials Physics)
影响因子：
--
作者：
Sun, Zhimei;Pan, Yuanchun;Zhou, Jian;Sa, Baisheng;Ahuja, Rajeev
通讯作者：
Ahuja, Rajeev
影响因子：
0.8
作者：
L. E. Shelimova;O. G. Karpinskii;P. Konstantinov;M. Kretova;E. S. Avilov;V. Zemskov
通讯作者：
L. E. Shelimova;O. G. Karpinskii;P. Konstantinov;M. Kretova;E. S. Avilov;V. Zemskov
影响因子：
29.4
作者：
Liu, Ruiheng;Chen, Hongyi;Chen, Lidong
通讯作者：
Chen, Lidong
影响因子：
64.8
作者：
Zhao, Li-Dong;Lo, Shih-Han;Kanatzidis, Mercouri G.
通讯作者：
Kanatzidis, Mercouri G.
通过范德华修正对稳定 Ge2Sb2Te5 的电子和机械性能进行第一性原理研究
影响因子：
3.3
作者：
Sa, Baisheng;Zhou, Jian;Sun, Zhimei
通讯作者：
Sun, Zhimei