Examination of effects of H2 Concentration in Reactant Gas on GaN Growth by Gallium Hydride Vapor Phase Epitaxy.
Examination of effects of H2 Concentration in Reactant Gas on GaN Growth by Gallium Hydride Vapor Phase Epitaxy.
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检查反应气体中 H2 浓度对氢化镓气相外延生长 GaN 的影响。
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Mamoru Imade
中科院分区：
文献类型：
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作者：
井上康志;矢野隆章;市村垂生;河田 聡;Mamoru Imade
使用氢化镓合成 GaN 晶体
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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作者：
F. Kawamura;M. Imade;M. Yoshimura;Y. Mori;T. Sasaki
通讯作者：
T. Sasaki