Extraordinary permittivity characterization of 4H SiC at millimeter-wave frequencies
Extraordinary permittivity characterization of 4H SiC at millimeter-wave frequencies
复制标题
毫米波频率下 4H SiC 的非凡介电常数表征
DOI：
10.1063/5.0148623
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发表时间：
2023
影响因子：
4
通讯作者：
Hwang, James C.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li, Lei;Reyes, Steve;Asadi, Mohammad Javad;Fay, Patrick;Hwang, James C.
4H- 和 6H-SiC 的普通和特殊介电函数（3.5 至 9.0 eV）
影响因子：
4
作者：
O. Lindquist;K. Järrendahl;S. Peters;J. Zettler;C. Cobet;N. Esser;D. Aspnes;A. Henry;N. V. Edwards
通讯作者：
N. V. Edwards
采用晶种升华法生长的高纯半绝缘 4H-SiC
DOI：
--
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. R. Jenny;S. Müller;A. Powell;V. Tsvetkov;H. Hobgood;R. Glass;C. Carter
通讯作者：
C. Carter