Molecular Beam Epitaxy of GaN on Lattice-Matched ZrB_2 Substrates Using Low-Temperature GaN and AIN Nucleation Layers
Molecular Beam Epitaxy of GaN on Lattice-Matched ZrB_2 Substrates Using Low-Temperature GaN and AIN Nucleation Layers
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使用低温 GaN 和 AIN 成核层在晶格匹配 ZrB_2 衬底上进行 GaN 分子束外延
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tsunenobu Kimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Rob Armitage;Kazuhiro Nishizono;Jun Suda;Tsunenobu Kimoto
金属有机气相外延在 ZrB2 衬底上生长 GaN
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Tomida;S. Nitta;S. Kamiyama;H. Amano;I. Akasaki;S. Otani;H. Kinoshita;R. Liu;A. Bell;F. Ponce
通讯作者：
F. Ponce
氮化物半导体用 ZrB2 衬底
影响因子：
1.5
作者：
H. Kinoshita;S. Otani;S. Kamiyama;H. Amano;I. Akasaki;J. Suda;H. Matsunami
通讯作者：
H. Matsunami
用于 GaN 分子束外延的 ZrB2 (0001) 衬底的表面控制
DOI：
10.1557/proc-798-y10.65
发表时间：
2003
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
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作者：
J. Suda;H. Yamashita;R. Armitage;T. Kimoto;H. Matsunami
通讯作者：
H. Matsunami