Increasing Laser-Doping Depth of Al in 4H-SiC by Using Expanded-Pulse Excimer Laser
Increasing Laser-Doping Depth of Al in 4H-SiC by Using Expanded-Pulse Excimer Laser
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使用扩展脉冲准分子激光器增加 4H-SiC 中 Al 的激光掺杂深度
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tanemasa Asano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Akihiro Ikeda;Takashi Shimokawa;Hiroshi Ikenoue;Tanemasa Asano
低损耗、大面积 4.5 kV 4H-SiC PIN 二极管，可降低正向电压漂移
影响因子：
1.9
作者：
P. Brosselard;A. Pérez‐Tomás;J. Hassan;N. Camara;X. Jordà;M. Vellvehí;P. Godignon;J. Millán;J. Bergman
通讯作者：
J. Bergman