Self-Temperature-Compensated GaN MEMS Resonators through Strain Engineering up to 600 K.
Self-Temperature-Compensated GaN MEMS Resonators through Strain Engineering up to 600 K.
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通过高达 600 K 的应变工程实现自温度补偿 GaN MEMS 谐振器。
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Meiyong
中科院分区：
文献类型：
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作者：
SANG;Liwen;サン フアンイン;Xuelin Yang;Tiefu Li;Bo Shen;LIAO;Meiyong
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
International Electron Devices Meeting
影响因子：
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作者：
A. Ansari;V. Gokhale;V. Thakar;J. Roberts;M. Rais
通讯作者：
M. Rais