Fabrication of horizontal three-layer SiO2-slot waveguide sandwiched by Nb2O5
Fabrication of horizontal three-layer SiO2-slot waveguide sandwiched by Nb2O5
复制标题
Nb2O5 夹层水平三层 SiO2 槽波导的制作
DOI：
--
复制
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Katsumi Nakatsuhara
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Takumi Hinata;Yoshiki Hayama;Yuki Shimamura;Katsumi Nakatsuhara
Nb2O5水平SiO2缝隙波导分析及制作条件研究
DOI：
10.1587/transele.2019ocp0007
发表时间：
2020
期刊：
IEICE Trans. Electron.
影响因子：
--
作者：
Y. Hayama;K. Nakatsuhara;Shinta Uchibori;T. Nishizawa
通讯作者：
T. Nishizawa
使用 Nb2O5 的水平槽波导中光功率密度的理论结构依赖性
影响因子：
1.5
作者：
Y. Hayama;K. Nakatsuhara;T. Ochiai;Masayuki Takeda;T. Nishizawa
通讯作者：
T. Nishizawa