Selective GeOx-scavenging from interfacial layer on Si1−xGex channel for high mobility Si/Si1−xGex CMOS application

Selective GeOx-scavenging from interfacial layer on Si1−xGex channel for high mobility Si/Si1−xGex CMOS application
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用于高迁移率 Si/Si1−xGex CMOS 应用的 Si1−xGex 通道上界面层的选择性 GeOx 清除

DOI：
10.1109/vlsit.2016.7573369
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发表时间：
2016
期刊：
2016 IEEE Symposium on VLSI Technology
影响因子：
--
通讯作者：
V. Paruchuri
V. Paruchuri
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
C. Lee;H. Kim;P. Jamison;R. Southwick;S. Mochizuki;K. Watanabe;R. Bao;R. Galatage;S. Guillaumet;T. Ando;R. Pandey;A. Konar;B. Lherron;J. Fronheiser;S. Siddiqui;H. Jagannathan;V. Paruchuri

文献摘要

参考文献

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我们展示了一种选择性 GeO<sub>x</sub> 清除技术，该技术可在 Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub> 基底上产生不含 GeO<sub>x</sub> 的离子液体。该工艺将 N<sub>it</sub> 降低了 >60% 至 2e11，并将具有亚纳米 EOT 的 Si<sub>0.6</sub>Ge<sub>0.4</sub> pFET 在 N<sub>inv</sub>=1e13 cm<sup>-2</sup> 时的高场迁移率提高了约 1.3 倍。
We demonstrate a technique for selective GeO<sub>x</sub>-scavenging which creates a GeO<sub>x</sub>-free IL on Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub> substrates. This process reduces N<sub>it</sub> by >60% to 2e11 and increases high-field mobility at N<sub>inv</sub>=1e13 cm<sup>-2</sup> by ~1.3× in Si<sub>0.6</sub>Ge<sub>0.4</sub> pFETs with sub-nm EOT.
High Mobility Ge CMOS devices with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation
采用等离子后氧化制造的 HfO2/Al2O3/GeOx/Ge 栅极堆栈的具有 0.7 nm 超薄 EOT 的高迁移率 Ge CMOS 器件
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者：
J. Kurihara;R. Matsumoto;and T. Uyematsu;R. Zhang
通讯作者： R. Zhang