High Mobility Ge CMOS devices with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation
High Mobility Ge CMOS devices with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation
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采用等离子后氧化制造的 HfO2/Al2O3/GeOx/Ge 栅极堆栈的具有 0.7 nm 超薄 EOT 的高迁移率 Ge CMOS 器件
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. Zhang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Kurihara;R. Matsumoto;and T. Uyematsu;R. Zhang
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