Chiral electronic excitations in the quasi-two-dimensional Rashba system BiTeI
Chiral electronic excitations in the quasi-two-dimensional Rashba system BiTeI
复制标题
准二维 Rashba 系统 BiTeI 中的手性电子激发
DOI：
10.1103/physrevb.105.l161105
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发表时间：
2022
影响因子：
3.7
通讯作者：
Blumberg, G.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lee, A. C.;Peng, B.;Du, K.;Kung, H.-H.;Monserrat, B.;Cheong, S. W.;Won, C. J.;Blumberg, G.
用偏振分辨共振拉曼光谱研究了准二维Rashba系统BiTeI的自旋-极化带之间的光学跃迁。我们检测了具有相反螺旋度的态之间的手征激发，并将光谱与三带模型中的计算进行了比较。利用共振拉曼激发谱，我们推导了费米能级附近较高导带的Rashba参数和带隙，并与从头算密度泛函理论得到的值进行了比较。
The optical transitions between spin-polarized bands of the quasi-two-dimensional Rashba system BiTeI are investigated using polarization-resolved resonant Raman spectroscopy. We detect chiral excitations between states with opposite helicity and compare spectra to calculations within a three-band model. Using the resonant Raman excitation profile, we deduce the Rashba parameters and band gaps of the higher conduction bands near the Fermi level, and compare the parameters to values obtained byab initiodensity functional theory.
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