Asymmetric semicircular and triangular electrode structures to increase photo-to-dark-current ratio in MgZnO metal semiconductor metal photodetectors
Asymmetric semicircular and triangular electrode structures to increase photo-to-dark-current ratio in MgZnO metal semiconductor metal photodetectors
复制标题
不对称半圆形和三角形电极结构可提高 MgZnO 金属半导体金属光电探测器的光暗电流比
DOI：
10.7567/jjap.54.052201
复制
发表时间：
2015-05
影响因子：
1.5
通讯作者：
Qing Tang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhenjie Song;Ping Wang;Lixin Guo;Yintang Yang;Qing Tang
采用二维物理模型研究了非对称半圆形和非对称三角形肖特基势垒对MgZnO金属半导体金属（MSM）光电探测器（PD）电流-电压（I-V）特性的影响
The effects of asymmetric semicircular and asymmetric triangular Schottky barriers on the current–voltage (I–V) characteristics of MgZnO metal semiconductor metal (MSM) photodetectors (PDs) have been investigated using a two-dimensional (2D) physical mode
登录
查看更多内容
影响因子：
3.2
作者：
I. Takeuchi;W. Yang;K. Chang;M. Aronova;T. Venkatesan;R. Vispute;L. Bendersky
通讯作者：
I. Takeuchi;W. Yang;K. Chang;M. Aronova;T. Venkatesan;R. Vispute;L. Bendersky
DOI：
10.1117/12.2045555
发表时间：
2014-03
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
W. Schoenfeld;M. Wei;R. Boutwell;Huiyong Liu
通讯作者：
W. Schoenfeld;M. Wei;R. Boutwell;Huiyong Liu
影响因子：
3
作者：
F. F. Masouleh-F.;N. Das;H. Mashayekhi
通讯作者：
F. F. Masouleh-F.;N. Das;H. Mashayekhi
影响因子：
1.1
作者：
Chuah, L. S.;Hassan, Z.;Abu Hassan, H.
通讯作者：
Abu Hassan, H.
影响因子：
1.7
作者：
Y. Su;Y. Chiou;Chia-Sheng Chang;S. Chang;Yi Chao Lin;Jone F. Chen
通讯作者：
Y. Su;Y. Chiou;Chia-Sheng Chang;S. Chang;Yi Chao Lin;Jone F. Chen