Impurity band conduction in Mn-doped p type InAs single crystal
Impurity band conduction in Mn-doped p type InAs single crystal
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Mn掺杂p型InAs单晶中的杂质能带传导
DOI：
10.1016/j.mssp.2018.05.014
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发表时间：
2018-09
影响因子：
4.1
通讯作者：
Wang Fenghua
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shen Guiying;Zhao Youwen;Bai Yongbiao;Yu Ding;Liu Jingming;Xie Hui;Dong Zhiyuan;Yang Jun;Yang Fengyun;Wang Fenghua
利用变温霍尔效应测量了Mn掺杂InAs单晶（InAs：Mn）在77-300 K温度范围内的电输运性质。这两个样品被发现是p型归因于Mn受体随机取代铟晶格位置。掺杂浓度相对较高的样品在200 K以下的杂质带具有最近邻跳跃电导（NNH）特性。通过对轻掺杂样品的PL谱分析，确定了Mn受主在InAs中的电离能为27 meV。由电离能确定锰受主的局域半径a0为17 Ω.
The electrical transport properties of Mn doped InAs single crystal (InAs: Mn) were determined from temperature-dependent Hall effect measurements over the temperature range of 77–300 K. Both samples were found to be p-type attributed to Mn acceptors randomly substituting for indium lattice sites. The sample with relatively higher doping concentration exhibits characteristics with nearest-neighbor hopping conductance (NNH) in impurity band below 200 K. The ionization energy of the Mn acceptor in InAs is determined to be 27 meV from the analysis of PL spectrum of the lightly doped sample. It is determined from the value of ionization energy that the localized radius a 0 of the manganese acceptor is 17 Å.
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DOI：
10.1002/pssc.201600217
发表时间：
2016-12
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
Y. Kajikawa
通讯作者：
Y. Kajikawa
DOI：
10.1002/pssb.200440008
发表时间：
2005-05
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
--
作者：
S. A. Obukhov
通讯作者：
S. A. Obukhov
DOI：
10.1002/pssc.200982521
发表时间：
2009-12
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
A. Wołoś;M. Piersa;G. Strzelecka;K. Korona;A. Hruban;M. Kamińska
通讯作者：
A. Wołoś;M. Piersa;G. Strzelecka;K. Korona;A. Hruban;M. Kamińska
影响因子：
--
作者：
E. Conwell
通讯作者：
E. Conwell
影响因子：
3.7
作者：
Manish Jain;L. Kronik;J. Chelikowsky;V. Godlevsky
通讯作者：
Manish Jain;L. Kronik;J. Chelikowsky;V. Godlevsky