Transhyphal electrical currents in fungi.
Transhyphal electrical currents in fungi.
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真菌中的穿菌丝电流。
DOI：
10.1099/00221287-130-12-3313
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发表时间：
1984
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Gow,NA
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gow,NA
来自藻菌纲、子囊菌纲和担子菌纲的代表性菌丝真菌（双性双性霉、粗糙脉孢菌、构巢曲霉、裂褶菌和灰盖鬼伞）均在其菌丝尖端周围产生稳定的电流；因此，跨菌丝离子流的产生可能是菌丝生长的普遍特征。与所有其他尖端生长的生物体一样，正电流总是从顶端进入并从远端离开；非生长的菌丝不驱动跨细胞电流。在距离菌丝尖端膜表面约 30 m 处测量的电流密度，在不同真菌中在 0·05 和 0·60 μA cm−2 之间变化，并且在较宽、快速延伸的菌丝中往往比在较细、生长缓慢的菌丝中更大。讨论了这些电流有助于将增长局限于顶点的可能性。
Representative mycelial fungi from the phycomycete, ascomycete and basidiomycete groups (Achlya bisexualis, Neurospora crassa, Aspergillus nidulans, Schizophyllum communeandCoprinus cinereus) all generated steady electrical currents around their hyphal tips; the generation of a transhyphal ion current may therefore be a universal characteristic of hyphal growth. As with all other tip growing organisms, positive current always entered apically and left distally; non-growing hyphae did not drive transcellular currents. The current density, measured approximately 30 m from the membrane surface at the hyphal tips, varied between 0·05 and 0·60 μA cm−2in different fungi and tended to be larger in wider, rapidly extending hyphae than in thinner, slow growing hyphae. The possibility that these currents serve to localize growth at the apex is discussed.
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