Anomalous Hall effect of heavy holes in III-V semiconductor quantum wells
Anomalous Hall effect of heavy holes in III-V semiconductor quantum wells
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III-V族半导体量子阱中重空穴的反常霍尔效应
DOI：
10.1088/1009-1963/16/2/038
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发表时间：
2007-02
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Wang Zhi-Gang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Ping;Wang Zhi-Gang
研究了半导体量子阱中重空穴的反常霍尔效应，在本征输运体系中，贝里曲率控制霍尔电流性质。基于波函数的一阶摄动，给出了t的表达式
The anomalous Hall effect of heavy holes in semiconductor quantum wells is studied in the intrinsic transport regime, where the Berry curvature governs the Hall current properties. Based on the first–order perturbation of wave function the expression of t
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DOI：
10.1007/978-3-662-05003-3
发表时间：
2002
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
D. Awschalom;D. Loss;N. Samarth
通讯作者：
D. Awschalom;D. Loss;N. Samarth
影响因子：
3.7
作者：
R. Winkler;H. Noh;E. Tutuc;M. Shayegan
通讯作者：
R. Winkler;H. Noh;E. Tutuc;M. Shayegan
影响因子：
3.7
作者：
R. Winkler
通讯作者：
R. Winkler
影响因子：
8.6
作者：
Hirsch, JE
通讯作者：
Hirsch, JE
影响因子：
1
作者：
Zhang Shi-Yong
通讯作者：
Zhang Shi-Yong