Competing Inversion-Based Lasing and Raman Lasing in Doped Silicon
Competing Inversion-Based Lasing and Raman Lasing in Doped Silicon
复制标题
掺杂硅中基于反转的激光和拉曼激光的竞争
DOI：
10.1103/physrevx.8.041003
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发表时间：
2018
影响因子：
12.5
通讯作者：
H.-W. Hübers
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. G. Pavlov;N. Deßmann;B. Redlich;A. F. G. van der Meer;N. V. Abrosimov;H. Riemann;R. Kh. Zhukavin;V. N. Shastin;H.-W. Hübers
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通过铋中心的红外拉曼散射从硅发出太赫兹激光
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Pavlov;U. Böttger;R. Eichholz;N. Abrosimov;H. Riemann;V. Shastin;B. Redlich;H. Hübers
通讯作者：
H. Hübers
子带间拉曼激光器
DOI：
--
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Liu;I. Cheung;A. Springthorpe;C. Dharma;Z. Wasilewski;D. J. Lockwood;G. Aers
通讯作者：
G. Aers
基于中心跃迁的太赫兹硅激光器物理原理
DOI：
10.1002/pssb.201248322
发表时间：
2013
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
--
作者：
S. Pavlov;R. Zhukavin;V. Shastin;H. Hübers
通讯作者：
H. Hübers
子带间激光器中的受激偏振子散射 - 运动窄化的作用
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
Quantum Electronics and Laser Science Conference
影响因子：
--
作者：
J. Khurgin;H. Liu
通讯作者：
H. Liu
高功率 GaAs/AlGaAs 量子喷泉单极激光器，发射波长为 14.5 μm，可调性为 2.5%
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
O. Gauthier;F. Julien;S. Cabaret;J. Lourtioz;G. Strasser;E. Gornik;M. Helm;P. Bois
通讯作者：
P. Bois