Analysis of Recovery Process of Neutron-Irradiation-Induced defects in SiC Isothermal Annealing up to 1400℃
Analysis of Recovery Process of Neutron-Irradiation-Induced defects in SiC Isothermal Annealing up to 1400℃
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1400℃以下SiC等温退火中子辐照缺陷恢复过程分析
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Toyohiko Yano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Saishun Yamazaki;Kousuke Yamaya;Masamtsu Imai;Toyohiko Yano
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