Theory of InGaBiAs dilute bismide alloys for highly efficient InP-based mid-infrared semiconductor lasers
Theory of InGaBiAs dilute bismide alloys for highly efficient InP-based mid-infrared semiconductor lasers
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用于高效InP基中红外半导体激光器的InGaBiAs稀双胺合金理论
DOI：
10.1109/nusod.2016.7547020
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Broderick C
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Broderick C
用于高效近红外和中红外发光器件的 InP 上的 InGaAsBi 合金
影响因子：
3.2
作者：
Jin S
通讯作者：
Jin S