InGaAsBi alloys on InP for efficient near- and mid-infrared light emitting devices
InGaAsBi alloys on InP for efficient near- and mid-infrared light emitting devices
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用于高效近红外和中红外发光器件的 InP 上的 InGaAsBi 合金
DOI：
10.1063/1.4837615
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发表时间：
2013
影响因子：
3.2
通讯作者：
Jin S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jin S
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影响因子：
3
作者：
G. Lin;C. P. Lee
通讯作者：
G. Lin;C. P. Lee
第 5 章 – 半导体光电器件
DOI：
--
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Adams;M. Silver
通讯作者：
M. Silver
与 GaAs 衬底匹配的 GaNAsBi 晶格的带隙和带偏移
影响因子：
3
作者：
S. Nacer;A. Aissat;K. Ferdjani
通讯作者：
K. Ferdjani
MBE 生长的含 Bi III-V 四元合金 InGaAsBi
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
phys. stat. sol (a)203 No.11
影响因子：
--
作者：
G.;Feng;K.;Oe;M.;Yoshimoto
通讯作者：
Yoshimoto
影响因子：
1.5
作者：
G. Feng;M. Yoshimoto;K. Oe;A. Chayahara;Y. Horino
通讯作者：
G. Feng;M. Yoshimoto;K. Oe;A. Chayahara;Y. Horino