Radiation hard pixel sensors using high-resistive wafers in a 150 nm CMOS processing line
Radiation hard pixel sensors using high-resistive wafers in a 150 nm CMOS processing line
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在 150 nm CMOS 加工线上使用高阻晶圆的辐射硬像素传感器
DOI:
10.1088/1748-0221/12/06/p06020
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发表时间:
2017
影响因子:
1.3
通讯作者:
N. Wermes
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
D. -L. Pohl;T. Hemperek;F. Hügging;J. Janssen;H. Krüger;A. Macchiolo;N. Owtscharenko;I. Caicedo Sierra;L. Vigani;N. Wermes
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DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
G. McGoldrick;M. Červ;A. Gorišek
通讯作者:
A. Gorišek
DOI:
10.1016/j.nima.2015.02.005
发表时间:
2015
期刊:
Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
影响因子:
--
作者:
Dervan P
通讯作者:
Dervan P
DOI:
10.1016/j.nima.2010.11.186
发表时间:
2011
影响因子:
1.4
作者:
C. Goessling;R. Klingenberg;D. Muenstermann;A. Rummler;G. Troska;T. Wittig
通讯作者:
T. Wittig
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
M. Havranek;F. Hügging;H. Krüger;N. Wermes
通讯作者:
N. Wermes
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
M. Backhaus;M. Barbero;L. Gonella;J. Grosse;F. Hügging;H. Krüger;J. Weingarten;N. Wermes
通讯作者:
N. Wermes