Dense, pure SiC monoliths with excellent oxidation resistance sintered at low temperatures and high pressures
Dense, pure SiC monoliths with excellent oxidation resistance sintered at low temperatures and high pressures
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致密、纯 SiC 整体材料在低温高压下烧结，具有优异的抗氧化性
DOI：
10.1016/j.ceramint.2015.07.009
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发表时间：
2015-12
影响因子：
5.2
通讯作者：
Zhou, Yu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Shengjin;He, Peigang;Duan, Xiaoming;Zhou, Yu
在1100-1200 °C和5GPa下结合机械合金化烧结纯SiC陶瓷整体。机械合金化的SiC粉末几乎是完全无定形的，含有少量的2 nm尺寸的微晶。所得整体材料由非晶和3C-SiC纳米晶（<5 nm）组成，相对密度≥ 93.0%，纳米硬度≥34.0 GPa，弹性模量≥378 GPa。在1500 °C的流动空气中，它们经历的质量变化最小，表明具有优异的抗氧化性。
Pure SiC ceramic monoliths were sintered at 1100–1200 °C and 5 GPa coupled with mechanically alloying. The mechanically alloyed SiC powders are nearly completely amorphous containing a small quantity of 2 nm-sized crystallites. The resulting monoliths consist of amorphous and 3C–SiC nanocrystallites (<5 nm), and offer relative densities ≥93.0%, nanohardnesses ≥34.0 GPa and elastic moduli ≥378 GPa. In the flowing air at 1500 °C, they undergo minimal mass change indicative of excellent oxidation resistance.
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影响因子：
9.4
作者：
X. Zhang;Qing Yang;L. Jonghe
通讯作者：
X. Zhang;Qing Yang;L. Jonghe
影响因子：
29.4
作者：
Xiangling Xu;G. Friedman;K. D. Humfeld;S. Majetich;S. Asher
通讯作者：
Xiangling Xu;G. Friedman;K. D. Humfeld;S. Majetich;S. Asher
DOI：
10.1111/j.1151-2916.1958.tb12932.x
发表时间：
1958-01-01
影响因子：
3.9
作者：
ERVIN, G
通讯作者：
ERVIN, G
DOI：
10.1016/s0921-5093(98)00782-5
发表时间：
1998-10
影响因子：
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作者：
Xiangqun Xie;Z. Yang;R. Ren;L. Shaw
通讯作者：
Xiangqun Xie;Z. Yang;R. Ren;L. Shaw
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2.3
作者：
T. Sudarshan;S. Maximenko
通讯作者：
T. Sudarshan;S. Maximenko