Optical and photoelectrochemical properties of Cu2SrSnS4 thin film fabricated by a facial ball-milling method
Optical and photoelectrochemical properties of Cu2SrSnS4 thin film fabricated by a facial ball-milling method
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面球磨法制备Cu2SrSnS4薄膜的光学和光电化学性能
DOI：
10.1016/j.matlet.2018.11.083
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发表时间：
2019-02
影响因子：
3
通讯作者：
Liu Zhifeng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tong Zhengfu;Yuan Jiangyuan;Chen Jiarui;Wu Anqi;Huang Weiwei;Han Changcun;Caia Qijun;Ma Chonghao;Liu Yang;Fang Li;Liu Zhifeng
采用面球磨法制备地球储量丰富、无毒的四元硫属化物Cu2SrSnS4。它的形成是由 Cu2SnS3 和 SrS 在 600°C 下的反应引起的。根据吸收测试推测所制备的Cu2SrSnS4薄膜的带隙约为1.78eV。所制备的Cu2SrSnS4薄膜的载流子寿命约为2.06ns。 Cu2SrSnS4 薄膜的光电流密度相对于 Ag/AgCl 电极在 -670mV 偏压下约为 150μAcm−2，并且在 10 个 1000 秒的循环后重复。其显着的光电流产生和光电化学稳定性表明其在光电转换应用中的潜力。
Earth-abundant and non-toxicity quaternary chalcogenide Cu2SrSnS4is prepared by a facial ball-milling method. Its formation is revealed to be from the reaction between Cu2SnS3and SrS at 600 °C. The bandgap of the prepared Cu2SrSnS4film is speculated around 1.78 eV according to absorption test. The carrier lifetime of the prepared Cu2SrSnS4film is about 2.06 ns. The photocurrent density of the Cu2SrSnS4film is about 150 μA cm−2at −670 mV bias vs Ag/AgCl electrode and it repeats after 10 cycles of 1000 s. Its notable generation of photocurrent and photoelectrochemical stability indicates its potential for photoelectric conversion application.
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DOI：
10.1002/zaac.19764190112
发表时间：
1976
期刊：
Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie
影响因子：
--
作者：
C. Teske
通讯作者：
C. Teske
铜硒化铋半导体薄膜的电沉积及表征
影响因子：
6.6
作者：
Yang, Jia;Tang, Ding;Lai, Yanqing;Li, Jie
通讯作者：
Li, Jie
影响因子：
3.2
作者：
Gurieva, Galina;Rios, Laura Elisa Valle;Schorr, Susan
通讯作者：
Schorr, Susan
影响因子：
6.7
作者：
Jackson, Philip;Hariskos, Dimitrios;Powalla, Michael
通讯作者：
Powalla, Michael
影响因子：
4.9
作者：
Chang Yan;Chun Huang;Jia Yang;Fang-yang Liu;Jin Liu;Y. Lai;Jie Li;Ye-xiang Liu
通讯作者：
Chang Yan;Chun Huang;Jia Yang;Fang-yang Liu;Jin Liu;Y. Lai;Jie Li;Ye-xiang Liu