Mechanical switching of ferroelectric polarization in ultrathin BaTiO3 films: The effects of epitaxial strain
Mechanical switching of ferroelectric polarization in ultrathin BaTiO3 films: The effects of epitaxial strain
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超薄 BaTiO3 薄膜中铁电极化的机械转换：外延应变的影响
DOI：
10.1063/1.4863855
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发表时间：
2014-01
影响因子：
4
通讯作者：
Wu Di
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wen Zheng;Qiu Xiangbiao;Li Chen;Zheng Chunyan;Ge Xiaohui;Li Aidong;Wu Di
自发极化的电开关在铁电薄膜非易失性存储器中的应用已经深入研究了几十年。最近的研究表明，超薄铁电薄膜的极化也可以通过机械加载力来切换，这是由于挠曲电效应。在这项工作中，我们报告了应变对在srruo3缓冲的SrTiO3， DyScO3和GdScO3衬底上相干生长的12单元格厚的BaTiO3超薄膜的机械开关的影响。极化逆转的机械阈值随着平面内压缩应变的增加而增加，与电极化开关的矫顽力场的增加有关。这是由于随着压缩应变的增加，BaTiO3薄膜中的开关势垒增加。
Electrical switching of spontaneous polarizations has been intensively studied for decades in ferroelectric thin films for non-volatile memory applications. Recent advances have shown that the polarization in ultrathin ferroelectric films can also be switched by a mechanical loading force owing to the flexoelectric effect. In this work, we report the strain effects on the mechanical switching in 12-unit-cell-thick BaTiO3 ultrathin films grown coherently on SrRuO3-buffered SrTiO3, DyScO3, and GdScO3 substrates. The mechanical threshold for polarization reversal increases with increasing in-plane compressive strain, associated with the increased coercive field for electrical polarization switching. These are ascribed to the increase of switching barrier in BaTiO3 thin films as the compressive strain increases.
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影响因子：
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Kalinin, Sergei V.
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作者：
P. Zubko;J. Triscone
通讯作者：
P. Zubko;J. Triscone
影响因子：
4
作者：
Koster, G;Kropman, BL;Rogalla, H
通讯作者：
Rogalla, H
DOI：
10.5772/10499
发表时间：
2010-12
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Tianyi Cai;S. Ju;Jian Wang;Zhen-ya Li
通讯作者：
Tianyi Cai;S. Ju;Jian Wang;Zhen-ya Li
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
H. Lu;C. Bark;D. E. L. Ojos;J. Alcalá;C. Eom;G. Catalán;-A.;Gruverman
通讯作者：
H. Lu;C. Bark;D. E. L. Ojos;J. Alcalá;C. Eom;G. Catalán;-A.;Gruverman