Tunable magnetism and metallicity in As-doped InSe quadruple layers
Tunable magnetism and metallicity in As-doped InSe quadruple layers
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As 掺杂 InSe 四层中的可调谐磁性和金属丰度
DOI：
10.1088/1361-6463/aa69b3
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发表时间：
2017-05
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yao A-Long
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sun Ya-Na;Wang Xue-Feng;Zhai Ming-Xing;Yao A-Long
密度泛函模拟表明，孤立 As 掺杂剂的 pz 轨道在 InSe 四层中发生自旋分裂。随着两个 As 原子之间距离的增加，它们之间的耦合可以从反铁磁性变为铁磁性，并且三个最近邻掺杂剂的簇表现出半金属特性。基于这些机制，可以通过将 As 掺杂到非磁性/磁性半导体/金属中，甚至是具有费米能级单自旋锥能带的半半金属中来操纵该层。
Density functional simulation shows that the pz orbital of an isolated As dopant is spin split in an InSe quadruple layer. The coupling between two As atoms can change from antiferromagnetic to ferromagnetic as the distance between them increases, and a cluster of three nearest-neighbor dopants shows half-metal characteristics. Based on these mechanisms, the layer can then be manipulated by As doping into a nonmagnetic/magnetic semiconductor/metal, and even a half-semimetal with a single-spin cone energy band at the Fermi energy.
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