Logarithmic temperature dependence of Hall transport in granular metals
Logarithmic temperature dependence of Hall transport in granular metals
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粒状金属中霍尔传输的对数温度依赖性
DOI：
10.1103/physrevb.84.052202
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发表时间：
2011-07
影响因子：
3.7
通讯作者：
Lin Juhn-Jong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Yu-Jie;Li Zhi-Qing;Lin Juhn-Jong
在2 ~ 300 K温度范围内测量了一系列氧化铟锡薄膜的霍尔系数R_H和电导率σ。在2K和120 K的相当宽的温度范围内观察到一个稳健的$R_H$\，$\propto$\，ln$T$定律。这种ln$T$依赖性被解释为起源于粒度的存在下，从电子-电子相互作用的效果，作为新的理论预测。此外，我们观察到一个$\sigma$\，$\propto$\，ln$T$法律从3 K到几十K，这也引起了在非均匀系统中的库仑相互作用效应。这些结果提供了强有力的实验支持目前的理论概念，在颗粒金属与晶粒间隧道导电性的电荷输运。
We have measured the Hall coefficient $R_H$ and the electrical conductivity $\sigma$ of a series of ultrathin indium tin oxide films between 2 and 300 K. A robust $R_H$\,$\propto$\,ln$T$ law is observed in a considerably wide temperature range of 2 and $\sim$120 K. This ln$T$ dependence is explained as originated from the electron-electron interaction effect in the presence of granularity, as newly theoretically predicted. Furthermore, we observed a $\sigma$\,$\propto$\,ln$T$ law from 3 K up to several tens K, which also arose from the Coulomb interaction effect in inhomogeneous systems. These results provide strong experimental supports for the current theoretical concepts for charge transport in granular metals with intergrain tunneling conductivity $g_T$$\gg$1.
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