70.2L: Late‐News Paper: 14.7” Active Matrix PHOLED Displays on Temporary Bonded PEN Substrates with Low Temperature IGZO TFTs

70.2L: Late‐News Paper: 14.7” Active Matrix PHOLED Displays on Temporary Bonded PEN Substrates with Low Temperature IGZO TFTs
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70.2L:最新新闻纸:采用低温 IGZO TFT 的临时粘合 PEN 基板上的 14.7 英寸有源矩阵 PHOLED 显示器

DOI:
10.1002/j.2168-0159.2013.tb06243.x
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发表时间:
2013
期刊:
SID Symposium Digest of Technical Papers
影响因子:
--
通讯作者:
D. Morton
D. Morton
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Barry P. O'Brien;Yong;M. Marrs;Joseph T. Smith;Mark Strnad;E. Forsythe;D. Morton

文献摘要

参考文献

被引文献

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一个灵活的,14.7英寸的对角线有机发光二极管显示器已经成功地展示。薄膜晶体管背板的器件制造在低于200 °C下在聚萘二甲酸乙二醇酯衬底上进行,使用具有13.5cm2/V-s的饱和迁移率的氧化铟镓锌作为有源半导体。
A flexible, 14.7 inch diagonal organic light emitting diode display has been successfully demonstrated. Device fabrication of the thin film transistor backplane occurred below 200 °C on a polyethylene naphthalate substrate using indium gallium zinc oxide with a saturation mobility of 13.5 cm2/V‐s as the active semiconductor.
DOI: 10.1038/nature03090
发表时间: 2004-11-25
期刊: NATURE
影响因子: 64.8
作者:
Nomura, K;Ohta, H;Hosono, H
通讯作者: Hosono, H