Single-Event Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SET and SEL
Single-Event Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SET and SEL
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钉扎光电二极管 CMOS 图像传感器中的单粒子效应：SET 和 SEL
DOI：
10.1109/tns.2020.3000275
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发表时间：
2020-08
影响因子：
1.8
通讯作者：
Fu Jing
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Cai Yulong;Wen Lin;Li Yudong;Guo Qi;Zhou Dong;Feng Jie;Zhang Xiang;Liu Bingkai;Fu Jing
采用0.18- $\mu \text{m}$ </in的4 T钉扎光电二极管（PPD）互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器（CIS）的单粒子瞬态（SET）和单粒子闭锁（SEL）
Single-event transient (SET) and single-event latchup (SEL) of a 4T pinned photodiode (PPD) complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) image sensor (CIS) fabricated with a 0.18- $\mu \text{m}$ </in
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影响因子：
1.8
作者：
R. Weller;M. Mendenhall;R. Reed;peixiong zhao;K. Warren;B. Sierawski;L. Massengill
通讯作者：
R. Weller;M. Mendenhall;R. Reed;peixiong zhao;K. Warren;B. Sierawski;L. Massengill
影响因子：
--
作者：
M. Thomsen;J. Birn;J. Borovsky;K. Morzinski;D. McComas;G. Reeves
通讯作者：
M. Thomsen;J. Birn;J. Borovsky;K. Morzinski;D. McComas;G. Reeves
影响因子：
1.8
作者：
C. L. Howe;R. Weller;R. Reed;M. Mendenhall;peixiong zhao;K. Warren;D. Ball;L. Massengill;K. Label;J. Howard;N. Haddad
通讯作者：
C. L. Howe;R. Weller;R. Reed;M. Mendenhall;peixiong zhao;K. Warren;D. Ball;L. Massengill;K. Label;J. Howard;N. Haddad
DOI：
10.11728/cjss2014.05.703
发表时间：
2014-09
期刊：
Chinese Journal of Space Science
影响因子：
--
作者：
Tang;Yun-qiu;Zhang;Jiashen;Wang;Jingsong
通讯作者：
Tang;Yun-qiu;Zhang;Jiashen;Wang;Jingsong
影响因子：
1.8
作者：
J. Schwank;M. Shaneyfelt;P. Dodd
通讯作者：
J. Schwank;M. Shaneyfelt;P. Dodd