Electronic properties of arsenene nanoribbons for FET application
Electronic properties of arsenene nanoribbons for FET application
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用于 FET 应用的砷烯纳米带的电子特性
DOI：
10.1007/s11082-019-2154-8
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发表时间：
2019-12
影响因子：
3
通讯作者：
Rong Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jin Wang;Yuxuan Fan;Junjun Xue;Dunjun Chen;Yi Tong;Lianhui Wang;Bin Liu;Hai Lu;Rong Zhang
本文采用第一性原理密度泛函理论计算方法研究了砷纳米带（AsNRs）的电子性质。研究了带宽度和外加横向电场对AsNRs带隙的影响。在外加横向电场作用下，AsNRs表现出巨大的Stark效应，载流子主要沿纳米带中心输运。结果表明，AsNRs边缘的杂质和空位缺陷对其电子性能影响不大。此外，基于asrs的场效应晶体管显示出高达9.38 × 103的高开/关比。我们的研究结果对asnr的电子特性有了深入的了解，我们期望这些发现可以为基于asnr的器件的进一步实验研究提供帮助。
In this paper, we study the electronic properties of arsenene nanoribbons (AsNRs) by using first-principles density functional theory calculations. The effect of ribbon width and external transverse electric field on the band gap of AsNRs has been lucubrated. AsNRs show a giant Stark effect with external transverse electric field and the carriers mainly transport along the center of nanoribbons. The results show that the impurity and vacancy defects at the edge of AsNRs have little effect on its electronic properties. In addition, the AsNRs-based field-effect transistor shows a high on/off ratio up to 9.38 × 103. Our results gain a deep insight into the electronic properties of AsNRs, we expect these findings can be instrumental for further experimental investigation of AsNRs-based devices.
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