Ultrafast conditional carrier dynamics in semiconductor quantum dots
Ultrafast conditional carrier dynamics in semiconductor quantum dots
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半导体量子点中的超快条件载流子动力学
DOI：
10.1117/12.873835
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Borri P
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Borri P
我们提供了直接的证据表明，在电泵浦In-GaAs/GaAs量子点的增益动力学的宏观响应是一个叠加的点内弛豫动力学从微观态与多个离散的载流子数。在光预泵浦完全耗尽基态增益的存在下的增益恢复被测量为比没有预泵浦更快。这种效果，与平均场载流子分布的速率方程的预期相反，是由于有条件的增益恢复，其中具有缓慢的内部动态的微观状态被抑制的预泵浦。这种效应在15 K时很明显，在300 K时仍然可以观察到，这有利于高速光信号处理。
We provide direct evidence that the macroscopic response of the gain dynamics in electrically-pumped In- GaAs/GaAs quantum dots is a superposition of intradot relaxation dynamics from microstates with multiple discrete carrier numbers. The gain recovery in the presence of an optical pre-pump fully depleting the ground-state gain is measured to be faster than without pre-pump. This effect, opposite to expectations from rate equations with mean-field carrier distributions, is due to a conditional gain recovery in which microstates with slow internal dynamics are suppressed by the pre-pump. The effect is evident at 15K and still observable at 300 K, beneficial for high-speed optical signal processing.
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--
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