Characteristics of GaN/ZrB2 Heterointerfaces Prepared by Pulsed Laser Deposition
Characteristics of GaN/ZrB2 Heterointerfaces Prepared by Pulsed Laser Deposition
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脉冲激光沉积制备GaN/ZrB2异质界面的特性
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
川口祐司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
岡部朋永;西川雅章;武田展雄;小林篤;小林篤;上野耕平;小林篤;小林篤;小林篤;小林篤;小林篤;小林篤;李国強;金明姫;土屋洋輔;李国強;川口祐司
金属有机气相外延在 ZrB2 衬底上生长 GaN
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Tomida;S. Nitta;S. Kamiyama;H. Amano;I. Akasaki;S. Otani;H. Kinoshita;R. Liu;A. Bell;F. Ponce
通讯作者：
F. Ponce
氮化物半导体用 ZrB2 衬底
影响因子：
1.5
作者：
H. Kinoshita;S. Otani;S. Kamiyama;H. Amano;I. Akasaki;J. Suda;H. Matsunami
通讯作者：
H. Matsunami